机译:考虑到源极和漏极周围沟道耗尽层深度的变化,短沟道MOSFET的阈值电压模型
机译:通过在Trigate硅纳米线MOSFET中使用薄垫片提高源/漏扩展来提高短通道性能
机译:空气隔离器技术可通过提高源极/漏极和高k栅极电介质来提高MOSFET的短沟道抗扰度
机译:50nm MOSFET的升高的源极/漏极(RSD)-外延层厚度对短沟道效应的影响
机译:将选择性硅外延与薄的侧壁隔离层集成在一起,用于亚微米级的高源/漏MOSFET。
机译:凸源/漏极(RSD)和垂直掺杂漏极(LDD)多Si薄膜晶体管
机译:用于减少短通道和热载体效应的电诱导源/漏电区SOI MOSFET的设计考虑因素
机译:具有镍合金源/漏极的基于锑化物的异质结构p沟道mOsFET。